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软错误鲁棒性相关论文
低功耗容软错误的65nm CMOS 12管SRAM单元
提出了一种具有软错误自恢复能力的 12管 SRAM单元.该单元省去了专用的存取管,具有高鲁棒性、低功耗的优点.在 65 nm CMOS工艺下,......
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