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边界声子相关论文

GaAs1-xNx混晶的喇曼散射研究

室温下采用背散射几何配置,在近共振条件下测量GaAs1-xNx混晶的喇曼散射谱.由于N原子的引入,导致类GaAs的LO1、TO1声子和类GaN的LO......

期刊

GaAs1-xNx混晶喇曼散射无序效应应变效应 Ⅲ-V-N半导体边界声子 Raman scatter disorder effect strain ef

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