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通过将下波导层掺杂为p型 ,使半导体激光器的有源区与pn结分离 ,制作了大功率远结半导体激光器。该器件在老化期间表现出输出功率......
介绍了808nm高功率量子阱远结半导体激光器的结构和器件特性，测试了器件的低频电噪声，讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系......
为了提高器件的可靠性和使用寿命,设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器,发......
通过将下波导层掺杂为ｐ型，使半导体激光器的有源区与ｐｎ结分离，制作了大功率远结半导体激光器。该器件在老化期间表现出输出功率变大的趋......
介绍了８０８ｎｍ高功率最子阱远结半导体激光器的结构和器件特性，测试了器件的低步电噪声，讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系。结果......
设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs／GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器，其发射波长为808nm，腔长为900μm，条宽为1......
