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重复动态雪崩相关论文
高功率4H-SiC JBS/SBD器件可靠性问题研究
以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料,在高温、高压、高功率和辐射等应用领域展现了巨大的材料优势和广阔的应用前景,......
学位
4H-SiC
肖特基势垒二极管
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