钨薄膜相关论文
采用DC磁控溅射技术在硅衬底上制备钨薄膜,探究了溅射功率和气压对钨薄膜沉积速率、电阻率和相结构的影响.采用原子力显微镜、XRD......
阐述在半导体制造过程中,钨化学气相沉积工艺由于其在接触孔/通孔中优良的填孔能力而被广泛应用于芯片制造中,在钨薄膜淀积过程中......
采用脉冲直流磁控溅射法,在不同的基片温度下制备金属钨薄膜,并对薄膜的反射光谱、电学性能、晶体结构、表面形貌等进行了分析.结......
我们描述一个直接原子的层免职方法种润滑剂钨二硫化物(WS <sub>2</sub>) 电影。WS <sub>2</sub> 电影在 Si (100 ) 底层和一部锌......
研究了微量薄模Ｎｉ－Ｗ合金镀层中钨的光度法，进行了镀层的溶解，介质选择，显色反应，放置时间及部分子的干扰试验。测量范围为０μｇ／ｍＬ－１５μｇ／ｍＬ。......
对奥氏体不锈钢基体上采用离子束混合技术进行不同厚度的钨膜沉积,沉积后的试样进行了H+注入前后的XRD和SEM微观分析,研究了H+辐照......
氧化物阴极直流运用的发射电流密度为0．5A／cm^2，如使用Sc2O3分配式氧化物阴极，可使发射电流密度提高到2A／cm^2，而使用Ba2Sc2O5分配式氧化......
对离子束混合技术在不锈钢基体上沉积的W膜进行了H+辐照前后的XPS分析,研究了H+辐照对W的结合能的影响.分析结果表明,沉积的W膜中......
本文采用了一种新的等离子化学工艺来制备钨薄膜。这种工艺采用超细粉或前驱体作为原料,利用低压下等离子使原料气化,蒸发沉积成纳......
研究了双离子束溅射制备铜钨薄膜时Ar+能量及低能辅助轰击对膜结构的影响.实验结果表明,以铜为衬底,铜靶Ar+能量在1～2keV、钨靶Ar+......
A series of hexagonal close-packed(HCP) Co-W thin films were deposited by sputtering on surface oxidized silicon substra......
在铜底层上成长的钨电影被 metallorganic 化学药品蒸汽免职(MOCVD ) 制作。扔的电影的化学纯净，结晶的阶段，代表性的质地，和抵抗力两......
日本产业技术综合研究所新近研制成功一种能耐1000℃以上高温的导电金属薄膜制造技术。这种耐高温的金属薄膜是由分别制得的两种金......
