铁电场效应相关论文
利用超薄SiO作缓冲层，在Si(100)衬底上成功地制备了高度c取向的PZT薄膜，SiO的厚度对PZT薄膜的单相单一取向性有重要影响。所得PZT薄......
多铁材料及其磁电耦合效应对于基础科学和实际应用都有着非常重要的意义1.然而，尽管一些多铁材料及其异质结被广泛关注和研究，但是磁......
在过去的十年中，人们把多种功能薄膜材料(如钙钛矿锰氧化物、铁氧体、铁磁金属和合金等)生长在PMN-PT 铁电单晶衬底上，通过对PMN......
铁电隧道结具有金属/铁电体/金属(MFM)结构，以几个纳米厚度的铁电体作为势垒层，铁电层中自发极化方向的翻转调制了结势垒高度，从......
基于二维过渡金属硫化物的光探测器近年来已经被广泛研究.然而,即使在高栅极和源漏偏压下,探测光谱范围,暗电流和响应时间仍然不令......
随着社会信息技术的高速发展,电子元器件已日益迈向高速度、高密度、多功能和智能化的发展目标,但由于传统的铁电、铁磁、压电等材......
铁电薄膜是一类重要的功能性薄膜材料,具有优越的铁电、热释电、压电和电光效应,在微电子和光电子领域有着广泛的应用前景。多铁性......
铁电场效应晶体管(FFET)是当前非易失性存储器(NVM)领域的研究热点,它不但具有低功耗、读写速度快、高密度、永久性、抗辐射性等优......
本论文的研究内容共分三个部分。第一部分系统研究了超薄La0.67Ca0.33MnO3(LCMO)膜的电磁特性。实验结果表明，由于应力的存在加剧了......
电子信息技术的迅速发展对磁电功能器件的微型化、智能化、多功能化以及灵敏度、可靠性、低功耗等都提出了更高的需求,传统的块体......
简述了铁电场效应管ＦＦＥＴ工作原理；说明了器件对薄膜和结构的要求；指出了铁电薄膜的电滞回线及金属铁电半导体结构的Ｃ－Ｖ特性。......
多铁性磁电复合薄膜由于其表现出诸如磁电耦合效应、铁电场效应、交换偏置效应、隧穿电致电阻效应等十分丰富的物理现象以及在高灵......
介绍了铁电场效应晶体管 (FFET)的基本结构、存储机制、制作方法 ,综述其结构设计的改进、铁电薄膜在 FFET中应用的进展情况 ,探讨......
二维材料是一类具有原子层厚度的层状材料,拥有独特的电学、磁学、光学和力学性能.以石墨烯和过渡金属硫族化合物为代表的二维材料......
