以熔凝法在单晶硅片上制备出ＰｂＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２厚膜玻璃后，运用栅控恒压电晕充电技术向其中成功注入电荷，并获得与栅压值接近（约８５％）的初始表面电位。室温状......