利用Ｋ·Ｐ方法计算了阱宽１０．０ｎｍ的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ应变量子阱在１％压缩应变，无应变和１％伸张应变三种情况下的能带结构及其态密度。结果表明在阱宽较宽时，伸张庆......