门极驱动电路相关论文
为了顺应目前电力电子产品小型化和轻型化的趋势，针对目前传统变压器体积大，电磁干扰严重的问题，本文详细介绍了压电陶瓷变压器(P......
本文介绍了高压电子软起动器的工作原理和技术特点。采用动、静态吸收电路解决晶闸管串联均压问题：采用光触发和比纤传递信息措施，解......
摘要：由于电动汽车及混合动力机车的电池工作电压范围较大，在刹车能量回收、发电机发电、短路保护等工况下，防止IGBT产生过压失效成为......
在目前的中电压大功率应用领域,占主导地位的功率半导体器件有晶闸管、GTO和IGBT等,这些传统的功率器件在实用方面都存在一些缺陷.......
ＩＧＢＴ模块的开关性能取决于门极驱动电路的特性和外部直流回路的电感。本文讨论了这些参数对开关损耗，二极管恢复，瞬态开关电压，短路运行及......
随着能源和环境问题日益凸显,太阳能作为一种清洁的可再生能源迅速发展,太阳能发电设施激增,其中逆变器必不可少。安森美半导体的......
IPM（Intelligent Power Module），即智能功率模块，不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内藏有过电压，过电流和过热等故障检......
可关断晶闸管(GTO)是具有自关断能力的新一代电力电子元件。由于GTO对门极电路有着特殊要求,使得门极电路成为GTO应用技术的关键本......
从DC1500V辅助变流器的特点出发，针对IGBT门极驱动单元开发过程中的一些问题，提出了行之有效的控制方案，并分析了这种驱动方式的工作......
在最新的逆变器设计中,电磁兼容越来越受到重视。本文提出了一种新的抑制di/dt的IGBT门极驱动电路,它可以抑制开关时的dv/dt、di/d......
本文介绍一种高性能集成六输出高压ＭＯＳ门极驱动器──ＩＲ２１３０的电路结构、工作原理、引脚功能及用法，进而探讨了其在电力电子技术中的应用，并指......
SiC MOSFET功率模块能够帮助提高变换器高温、高功率密度运行的可行性。同时,对于高温下可靠运行的驱动电路的需求也随之增加。由......
来自赛米控的新一代IGBTN极驱动电路，是建立在包含所有基本驱动功能的半桥驱动核心概念基础上的。在新一代IGBTN极驱动电路SKYPER中......
为了研究Boost变流器中MOSFET门极驱动电路的电磁干扰(EMI)发射特性,通过测试将Boost变流器门极信号的EMI发射与整机EMI发射分离。......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
提出了一种使用阴极开路技术的GTO关断电路,该电路具有高开关速度、低能量损耗等优点,并且能很好地改善电路的抗du/dt能力.......
概述电源设计人员通过正确匹配MOSFET在驱动时的门极驱动电压,有时能够获得额外的效率提高。采用较高的电压驱动MOSFET门极将导致......
因输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好等一系列优点,IGBT在电机控制、逆变器、UPS等系统中有着广泛的应用。随着IGBT功率的增加,......
文章介绍了新型光耦ACPL-333J在伺服驱动器中的应用，以及简化IGBT门极驱动电路设计，提高IG—BT保护能力的方法；详细描述了应用电路中......
本文围绕集成门极换流晶闸管(IGCT:Integrated gate commutated thyristor)和中点箝位式三电平(NPC-3L:neutral point clamped thr......
针对IGBT器件驱动电路损耗计算及驱动电源设计，分析了IGBT器件门极控制机理，建立了器件驱动电路在开关过程的等效电路，推导了门极电压......
