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零偏压下微分电阻与面积乘积相关论文
气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析
从理论与实验两方面对截止波长为1.7μm(x=0.53),1.9μm(x=0.6)和2.2μm(x=0.7)pin InxGa1-xAs探测器性能进行了研究.对探测器暗电流的研究结果表......
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零偏压下微分电阻与面积乘积
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