使用自动变温霍耳测试系统测定了减压 MOVPE外延生长的 Cδ掺杂 Alx Ga1-x As多层外延与pipi Alx Ga1-x As超晶格 .结果表明 ,以 T......

使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的Ｃδ掺杂ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多层外延与ｐｉｐｉＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ超晶和。结果表明，以ＴＭＡｌ为掺杂源的Ｃδ掺杂ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多层外延样品的二维空们浓度......

使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的硅δ掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ异质结构，其在１５Ｋ和３００Ｋ时的电子迁移率分别为２．６×１０５ｃｍ２／Ｖ·ｓ和７３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ，二维电子浓度分......