绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)结合了MOSFET与GTR的长处,形成了自身开关速度快、驱动功率小以及通......

碳化硅(SiC)MOSFET作为第三代半导体器件,与硅IGBT相比在高频、高温、高压的工况下性能更加优异。然而在并联应用中,不同器件之间......