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非易失浮栅存储器相关论文

基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性

利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了......

期刊

异质纳米晶非易失浮栅存储器电容-电压特性自组织生长选择化学刻蚀 hetero-nanocrystals nonvolatile floating-ga

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