宽禁带半导体材料碳化硅（Silicon Carbide,SiC）和氮化镓（Gallium Nitride,Ga N）相较于硅（Silicon,Si）具有更宽的禁带宽度、更高的临界击......

随着5G通讯及轻型紧凑类消费电子产品市场的迅速发展,氮化镓（Ga N）功率器件凭借高功率密度、高开关速度响应等优势,在半导体器件中展......

SiC MOSFET以其高压、高频、低损耗以及高温等优越性能,显著提高电力装置的效率和功率密度,是高功率电子领域的有力竞争者。目前已......

碳化硅(SiC)材料作为第三代宽禁带半导体材料,以其为衬底制备的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field E......

随着我国经济的快速增长,工业水平的逐步提高,在国家政策的支持下,半导体行业特别是电力电子技术得到了迅猛发展。其中,绝缘栅双极......

碳化硅(Silicon Carbide, SiC)基纵向双扩散金属氧化物半导体晶体管(VDMOS)具有高阻断电压和工作频率及低导通电阻和开关损耗等优......

以第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)为衬底所制作成的MOSFET因其高击穿电压、高工作频率、低工作损耗和抗高温和强辐照的优良性能,正......