高介电常数薄膜相关论文
为了解决由栅介质层过薄而引起的漏电流显著增加的难题,人们引入了一种具有高介电常数(高k)的材料来取代传统的SiO2。其中,铪基高k......
采用Ti3Al合金靶,分别应用脉冲激光沉积(PLD)法和磁控溅射法构架了Pt/Ti-Al-O/Si MOS异质结,研究了激光能量密度对Ti-Al-O薄膜电学......
高介电常数薄膜广泛应用于动态随机存储器中.本文主要采用反应溅射在Si基体上制备Ta2O5薄膜,研究了在25～100nm厚度范围内薄膜的电学......
相对于电化学超级电容器,静电式电容器具有更高的功率密度和可靠性,但能量密度过低。本研究提出制备基于高介电常数薄膜CaCu3Ti4O1......
MEMS超级电容器是能源存储中的先进领域,对于MEMS传感器、医疗、交通等方面的发展发挥着越来越重要的作用。根据工作原理不同,MEMS......
随着半导体制造技术的发展,集成电路(IC)加工的尺寸越来越小。当特征尺寸缩小到纳米数量级时,芯片上金属-氧化物-半导体场效应管(M......
