高压CMOS工艺相关论文
利用数值模拟仿真,本文设计了基于薄外延的P埋层双RESURF LDMOS.与传统单RESURF LDMOS相比,改善了器件的表面电场分布,降低了导通......
随着信息技术的发展,人类已经进入了消费电子时代。更加强调互联、社交、娱乐功能的移动终端产品层出不穷,其中用户体验也成为终端......
提出了一种新的双栅氧(dualgateoxide,DGO)工艺,有效提高了薄栅氧器件与厚栅氧器件的工艺兼容性,同时提高了高低压器件性能的稳定性.在中......
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