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高密度相变存储器阵列相关论文
压印技术制备超高密度Si2Sb2Te5基相变存储阵列
采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4Gbit/inch2存储阵列,......
期刊
紫外压印
高密度相变存储器阵列
Si2Sb2Te5存储单元
标准差(σ)
相变
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