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0.18μm互补金属氧化物半导体相关论文
基于CMOS工艺毫米波宽带片上天线
设计了一种基于0.18μm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺的94 GHz频段宽带片上天线。该......
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硅基片上天线
0.18μm互补金属氧化物半导体
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