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4H-SiC结势垒肖特基相关论文

4H-SiC SBD和JBS退火研究

在4H-SiC外延材料上制备了SBD和JBS器件,研究并分析了退火温度对这两种器件正反向特性的影响。结果表明,低于350℃退火可同时提高S......

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4H-SIC肖特基势垒二极管 4H-SiC结势垒肖特基退火正向特性反向特性 4H-SiC SBD（Schottky-barrier diode） 4H-S

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