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4HN型碳化硅相关论文
4HN-SiC包裹物在薄层同质外延中的转化
对4HN型碳化硅(4HN-SiC)包裹物进行了系统的研究,首次提出了包裹物分布的碳氮竞位模型,并对各种包裹物的起源及抑制改善提出了有效......
期刊
4HN型碳化硅
碳氮竞位
包裹物
表面缺陷
外延
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