ArF光刻相关论文
本文介绍了分辨率增强技术(RET)对65nm-45nmArF光刻性能的影响.通过某种RET技术或它们的结合应用,利用PROLITH和自主开发的光刻仿......
随着集成电路(IC)芯片制备中最小线宽的不断缩小和浸没式光刻技术的引入,像差对特征图形尺寸的影响规律需要进一步研究.在65nm分辨......
分辨率增强技术是光学光刻中用来实现高分辩光刻成像质量的重要手段，主要包括离轴照明、相移掩模、邻近效应校正、偏振照明四种技术......
目前国际上以日本、荷兰等国为首工业发达国家其生产的光刻机曝光节点能够达到25nm以下，光刻机中的核心部件投影物镜元件个数就超过......
