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C诱导层温度对Ge/Si量子点溅射生长的影响
采用离子束溅射技术,通过改变诱导量子点形成的C层生长温度,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点。利用 AFM和 Raman光谱......
期刊
离子束溅射
GE量子点
扩散
C诱导
ion beam sputtering
Ge quantum dots
diffusion
C-induced
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