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以GaN基半导体材料为代表的第三代半导体材料,是宽禁带直接带隙材料,具有介电常数、导热性能良好、饱和电子漂移速率高、以及抗高......
通过对不同厚度的p-InGaN样品进行环形传输线欧姆接触实验,发现p-InGaN与Ni/Au的比接触电阻随InGaN层厚度的增大而增大,且当InGaN......
分别用稀盐酸、王水以及（NH4）2S溶液处理p-GaN表面，通过测试样品表面01s的X射线光电子能谱（XPS），比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能......
在2002年北美放射学会年会上,美国Eric Miline博士介绍了CTLM的临床使用情况,指出CTLM可减少阴性活组织检查,因无需辐射和压缩乳房......
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