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Si-TaSi2共晶自生复合材料作为半导体金属共晶材料（SEM）之一，具有较低的功函数、良好的电传输特性和自生肖特基结等特点。本文采用切......
用Cz法生长尺寸为Φ25×30mm的高质量的PWO晶体,设计了合理的工艺参数,总结了影响PWO晶体完整性的因素.发现晶体开裂有四种形......
介绍了美国、独联体、日本、比利时和以色列用于８￣１２μｍ红外系的锗 晶体的生产地、定向结晶法、铸造法、斯捷潘诺夫法、旋转晶片法、斯......
利用傅立叶红外光谱( FTIR)测试技术,研究了掺锗 CZSi的低温和常温红外吸收光谱.发现 高浓度 Ge掺入 CZSi在红外吸收光谱中引起的......
用常规CZ法拉制的硅单晶质量与VLSI对材料的要求有较大差距。MCZ法可以抑制硅熔体的热对流,因而改变了硅单晶的氧含量和其他性能。......
本文主要讨论CZ法生长TeO2晶体中温度梯度、拉速、转速等工艺参数对晶体质量的影响,分析了晶体开裂、包裹物等宏观缺陷以及位错等......
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硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,langasite,简称LGS)晶体在八十年代初是作为激光晶体来研究的,随后其优异的压电性能成为人们关注的热点,大......
掺钕钆镓石榴石(Nd:GGG)晶体无论从激光性能(激光阈值,效率)还是物理性能(导热性等)方面均优于掺钕玻璃,Nd:GGG与现在工业上大量使......
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