采用ＭＢＥ制备了ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳｅ 多量子阱结构．Ｘ射线衍射谱的最高阶次是７，在７７Ｋ下ＰＬ光谱的线宽是４．２ｎｍ ，表明我们的样品具有较高的质量．在变密度激发的ｐｓ 时间分辨光谱中，......

用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe Cd0 .65Zn0 .3 5Se超晶格结构。利用X射线衍射 (XRD)、77K下变密度激发的光致发光光谱和变......