采用物理气相输运法( PVT),以Cr2+∶ ZnSe多晶为原料,在源区温度约为1000℃、温差为6～7℃条件下生长2周,获得了体积约为0.7 cm3的Cr......

采用物理气相输运法（PVT），以Cr^2＋：ZnSe多晶为原料，在源区温度约为1000℃、温差为6-7℃条件下生长2周，获得了体积约为0．7cm^3的Cr^2＋：ZnSe晶......