先把KF和MgF2以1∶1摩尔比混合后在Ar气体环境中650℃的恒温下烧结成KMgF3化合物。然后仍在Ar气体环境中用Czochralski方法生长了K......

为了了解超导材料YBa2Cu3O2-x(Y123)Czochralski法晶体生长时的流动、传热与传质特性,利用有限差分法对Ba-Cu-O熔体中单相Y123晶体......

掺铒钼酸钇钠激光晶体及其制备方法和用途，涉及人工晶体领域。采用提拉法（Czochralski方法），在1125℃，以10—30r／min的晶体转速，0．5—1mm／h......

利用有限元法对勾形磁场环境下硅单品Czochralski生长时炉内的传递过程进行了全局数值模拟，磁场强度范围为（0-2．0）T。结果表明：勾形磁场......

用Czochralski方法生长出铁电钨青铜型单晶(Sr1-xBax)2NaNb5O15(简称SBNN),晶体沿c轴方向生长.正交-四方相的准同型相界(简称为MPB......

先把KF和MgF2以1∶1摩尔比混合后在Ar气体环境中650℃的恒温下烧结成KMgF3化合物。然后仍在Ar气体环境中用Czochralski方法生长了K......