GaN半导体材料相关论文
以GaN为代表的第三代宽禁带化合物半导体材料因其显著优点是目前世界上最先进的半导体材料,广泛应用于蓝、绿光发光器件领域。MOCV......
该文就采用CVD技术生长的GeSi合金和GaN半导体材料生长及其器件特性等方面的一些问题作了研究.......
由于GaN半导体材料具有宽带隙(3.4eV),熔点高,热导率高,电子迁移率高(3×107cm·s-1)等特点,所以它是制造光电探测器和紫、蓝发光......
GaN半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和速度高、导热性能好等优点，在高温、大功率、微波器件领域拥有很大发展潜力。AlGaN/GaN HEM......
声电荷输运器件（简称ACT器件）作为一种新型信号处理器件，弥补了电荷耦合器件与声表面波器件的不足，实现了低功耗高速高频可编程强大模......
