GaN发光二极管相关论文
通过对InxGal～xN掺杂不同组份的In来改变InxGa1一xN的禁带宽度，从而改变量子阱势垒高度，并研究其与发光二极管光电性能、效率下降之间......
利用正向交流（ac）小信号方法对GaN发光二极管的电容一电压特性进行测量，可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象。利用LED串联等效电......
GaN基发光二极管合成照明光源的流明效率与世界公认的200lm／W的目标相比还有较大的差距。详述了材料外延、管芯制作、器件封装以及......
为了提高光提取效率,分析在GaN发光二极管(LED)结构中的光波矢传播模型,并分析Ag光子晶体的表面等离激元和能带结构;同时模拟未覆......
