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Ge1-xCx合金薄膜相关论文

Si（100）上Ge1-xCx合金薄膜的CVD外延生长

用化学气相淀积生长方法,以乙烯为碳源、锗烷为锗源,在Si(100)衬底上外延生长出了C组分达3%的Ge1-xCx合金薄膜,研究表明随着生长温......

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Ge1-xCx合金薄膜化学气相淀积拉曼光谱 Ge_(1-x)C_x alloy films chemical vapor deposition(CVD) R

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