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In掺杂GaAs相关论文
铟掺杂砷化镓材料的光电特性研究
Ⅲ-Ⅳ族化合物半导体具有良好的光电性质,优良的机械特性和特定的带隙范围,使之在高温、高功率、高频电子器件,光电器件和一些比较......
学位
第一性原理
In掺杂GaAs
电子结构
光学特性
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