报道了基于InP基双屏质结双板晶体管（DHBT）工艺的四指共射共基75 GHz微波单片集成（MMIC）功率放大器,器件的最高振荡频率fmax为150 GHz.......

基于InP双异质结双极晶体管(DHBT)工艺设计并实现了一款6 bit高速数模转换器(DAC)芯片,该In P工艺DHBT器件的电流增益截止频率大于......

InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相......