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基于全耗尽技术的SOI CMOS集成电路研究
介绍了电路的工作原理,对主要的延迟和选通控制单元及整体电路进行了模拟仿真,证明电路逻辑功能达到设计要求。根据电路的性能特点,采......
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全耗尽
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CMOS
LDD结构
LDS结构
脉冲测定
Fully Depleted
SOI CMOS
Lightly Doped Drain Stru
基于全耗尽技术的SOI CMOS集成电路研究
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