采用封闭式电子回旋共振(M CECR)等离子体溅射的方法在硅(100)基片上沉积了高质量的硬碳纳米微晶薄膜,膜层厚度约40 nm,采用氩等离......

用封闭式电子回旋共振(MCECR)等离子体溅射的方法在硅(100)基片上沉积了碳氮膜(CNx),膜层厚度约80 nm.采用Ar/N2等离子体溅射纯石......

用封闭式电子回旋共振（MCECR）等离子体溅射的方法在硅（100）基片上沉积了碳氮膜（CNx），膜层厚度约80nm．采用Ar／N2等离子体溅射纯石墨靶，研究了......