MESFET型紫外探测器相关硕士博士期刊学术论文

第三代化合物半导体碳化硅（SiC）禁带宽度大、载流子饱和速率高、热稳定性强、热导率高、抗辐照性能突出。其抗辐照特性较之Si，Ge，GaAs,......