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<正> 飞兆半导体公司日前宣布其性能先进的PowerTrench MOSFET工艺可实现极低的Miller电荷(Qgd)、RDS(on)、总栅极电荷(Qg),并改善......

<正> 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布其性能先进的PowerTrench MOSFET工艺可实现极低的Miller电荷(Qgd)、RDS(on)、......

飞兆半导体公司(Fairchild Sereiconductor)宣布推出采用SO-8封装的80伏N沟道MOSFET器件FDS3572，具备综合的性能优势，能同时为DC／DC转......