国际半导体技术发展路线图(ITRS)2011中提出，电荷陷阱型浮栅存储器在等比缩小过程中工作速度得以提高，但是其可靠性的改善仍然存在很......

目前,金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si, MONOS)型存储器面临的挑战是如何在低的工作电压下,提高器件......

电荷陷阱型存储器作为传统悬浮栅Flash存储器的后时代应用，目前所面临的技术挑战是在不断缩小的工艺节点要求下，实现在降低工作电压......