探讨了氧化时间对MoSi2-RSiC复合材料组成、微观形貌、力学性能和导电性能的影响．结果表明：复合材料氧化主要在外表面生成致密的SiO2......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......

本文以再结晶碳化硅(RSiC)为基体,分别采用直接熔渗(MI)和前驱体浸渍裂解(PIP)-直接熔渗法(MI)来制备了MoSi2-RSiC复合材料,探究了......