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P型4H-SiC少子寿命提升机理研究
在过去的数十年中,由于碳化硅(SiC)材料具有热稳定性、高击穿电压、高热导率等性能优势,SiC双极型器件在高压、高频和大功率等领域得......
学位
4H-SiC
少子寿命
热氧化
高温退火
μ-PCD
OCVD
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