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P+源漏电阻相关论文

部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺P＋源漏电阻实验设计

文章对部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺源漏电阻产生影响的四个主要因素采用二水平全因子实验设计[1],分析结果表明在注入能量、剂量......

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部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺顶层硅膜厚度能量剂量 P+源漏电阻 0.8μm partial depleted SOI CMOS technol

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