P-n相关论文
Direct X-ray detectors are considered as competitive next-generation X-ray detectors because of their high spatial resol......
Partial P-Type Metal Ions Doping Induced Variation of Both Crystal Structure and Oxygen Vacancy With
Partial P-type metal ions doping(PPMID)is an alternative method to further enhance the gas sensing performance of N-type......
A facile construction of heterostructured ZnO/Co_(3)O_(4)mesoporous spheres and superior acetone sen
The rapid development of internet and internet of things brings new opportunities for the expansion of intelligent senso......
Simultaneously Effi cient Solar Light Harvesting and Charge Transfer of Hollow Octahedral Cu_(2)S/Cd
Solar-driven water splitting is a promising alternative to industrial hydrogen production.This study reports an elaborat......
Nanosecond (ns) photoelectric effects have been observed in all-oxide p-n junctions of La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3 f......
以自合成的双-(对氨基苯甲酸)-苯基氧化膦(BCNPO)、己二胺、PA66盐为原料,通过高温(280℃)、高压(1.7 MPa)聚合制备了阻燃PA66树脂......
设计合成了两种以p型苯基咔唑为核,n型苯并噻二唑衍生物为臂的p-n多臂结构共轭分子S1和S2.通过1H NMR,13C NMR,GC-MS/MALDI-TOF等......
化石燃料的迅速消耗导致环境污染与能源危机日益加剧.太阳能高效利用与转换是解决该难题的有效途径之一.在众多光催化剂中,TiO_2因......
微囊藻毒素(MC-RR)是一种具有两个精氨酸结构的微囊藻毒素,它是由蓝藻细菌产生的一种能普遍被检测到的细胞毒素,近来由于其潜在的......
用分光光度法研究水溶性金属卟啉Co(Ⅱ)[p-N(CH_3)_3]TPPI(简称Co(Ⅱ)TAPPI)在深剂二甲基甲酰胺中与CO的加合性质。讨论了加合反应......
利用CVD蒸汽俘获法,在p+硅片上制备了垂直生长的n型ZnO纳米线阵列,用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌。测试发现样品的I-V曲线符合......
提出了以弱p型(p--GaN)为有源区的p-n结构GaN紫外探测器.由于弱p型层的载流子浓度较低,很容易增加耗尽区的宽度,从而可以增加器件......
日本研究者在基于自立式氮化镓衬底上制造出的垂直结构的氮化镓p-n二极管中实现突破性水平的击穿电压和较低的导通电阻。这一产品......
近年来，由P-N混合配体组装的配合物催化剂在C-C、C-N键的形成反应中受到了越来越多的应用。我们设计合成了数种由吡啶基和二苯......
均相催化氢甲酰化反应具有反应条件温和、活性高、化学选择性及区域选择性好等优点.自从Wilkinson 催化剂被成功应用于氢甲酰化反......
Nitride-oxide based p-n heterojunctions synthesized by depositing VO2film on p-GaN/sapphire substrat
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本文对1 N-4148 P-N结的V～T特性进行了实验测定,证明了该P-N结作为低温温度计的可行性.
In this paper, the V ~ T characteristic......
在实验工作的基础上，提出了双层ｐ－ｎ异质结有机太阳能电池中激子和载流子输运的理论模型，假设只有扩散到结区的激子和该区产生的激子，才对......
采用Te~+离子注入使N型Pb_(1-x)Sn_xTe转变成P型层。Te~+离子浓度大于1×10~(15)/厘米~2,并经适当的后退火处理在N型Pb_(1-x)Sn_x......
本文就P-Mos集成电路使用无位错直拉单晶时P-N结漏电流的机理进行了分析。通过实验指出,影响P-N结漏电流的主要原因与氧化层错和位......
早期移频激励器的性能指标已无法满足目前短波移频电报通信的要求,特别是自激振荡器的频率稳定度和准确度很难保证.因此,必须采用......
一、引言 近年来硅P-N/绝缘层/金属(P-N-I-M)四层结构的负阻开关器件已得到广泛研究。这种器件最主要的特征是:高速开关(开关速度......
文摘某些分子束外延生长的(Al,Ga)As双异质结激光器,在室温左右观察到激射阈值电流对温度(即使是负温发)的依赖性减少。这种现象......
用扫描电镜电子束感生电流法研究了GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位问题。认为Zn沾污是偏位的主要原因之一。用控制Zn的......
参考文献[1]和[2]曾用电中性近似作为迭代初值,计算了p-n型碲镉汞光伏探测器的稳态特性,并讨论了计算中所采用的特别设计的差分方......
我们已经研究了在使用冗余技术的MOS存储器中可用作程序单元的多晶硅n~+p-n~-结构。这器件采用可形成稳定熔丝的电流限制脉冲编程......
一般处理P-N结反向问题时,认为P-N结中载流子是完全耗尽的。在P-N结发生击穿以前用这模型来描述是接近于实际情况的。但是在处理......
按照一定的掺杂比例制备了一种双掺硅单晶.单晶片经热氧化或惰性气体中热处理,可以在其表面获得P-N结.这种P-N结具有下述特点:(1)......
一、引言 在毛主席革命路线的指引下,我国的半导体材料和器件生产取得了飞速的发展,但是与国外水平还有很大差距,尤其表现在集成......
在115.2K到162.3K的温度范围内,用电容瞬态技术研究了P-N结电场对硅中金施主中心空穴热发射率的影响.测量结果表明电场对热发射率......
提出了一种新的雪崩光电二极管概念—渠道式APD。用一种新的叉指式p-n结结构,将电子和空穴从存在的空间分开,使其在不同的带隙层内......
——一场关于P-N结边界上np乘积的争论直到1980年底仍在继续.本文从较深入地讨论Shockley模型中的“准电中性假设”和“常数准费米......
p-n结注入电流脉冲结束后,结的暂态电压因放电而衰减,一般正常的衰减曲线是电压随时间几乎是线性减小,但有些p-n结的衰减曲线却与......
利用InSb晶片阳极氧化时的氧化速率依赖于晶片的载流子浓度这一特性,成功地显示出InSb扩散结剖面及其形貌,并由此测出了在不同条件......
采用通过深能级杂质的间接隧道过程与热激发、俘获过程之间的细致平衡,推导出间接隧道过程所引起的电容的理论表达式.这一电容仅出......
双掺硅单晶片经热氧化后在其表面能够形成浅而均匀的P-N结.本文研究这类P-N结的基本特性,在耗尽层近似下给出P-N结空间电荷区中电......
本文以n~+—p浅结硅光电二极管为例,通过解连续方程用计算机对器件光谱响应特性进行分析,结果表明:表面复合速度、掺杂分布、结深......
本文根据p-n结电容放电理论为采用开路电压衰减法测量太阳电池异常少子寿命提出修正计算公式,分析指出,电池光致注入与电致注入少......
Due to the weak spin-orbit and hyperfine interactions, which always leads to spin relaxation and decoherence in other ma......
会议
本文介绍在φ26mm和φ32mm N型硅片上扩散形成P-N结和电阻网络加热器,将其制成的规管接入真空系统,用U型计,复合真空计进行对比测......
有机电致发光器件属于载流子双注入型发光器件，是注入的电子与空穴在有机物中复合并通过辐射去激活产生发光。因此器件性质将得益于......
以对位取代苯乙烯碘化吡啶为体系,进行了“D-π-A”型化合物分子内电荷转移（ICT）与双光子吸收效应关系的研究.在锁模Nd:YAG脉冲激光......
