设计制作了双栅槽结构AlGaAs/InGaAs/AlGaAs功率PHEMT器件.对于栅长1μm的器件,最大输出电流I为480mA/mm,跨导Gm为275mS/mm,阈值电......

　　GaAs PHEMT器件在高温及大功率RF／微波领域有着广泛的应用，是目前最具前景的微波器件。肖特基结的可靠性直接关系到GaAs PHEMT特......

GaAs PHEMT是单片微波集成电路（MMIC）的关键结构，其寿命和长期可靠性对微波毫米波频段的空间和军事领域的通信应用至关重要，GaAs PHEMT......

PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统.当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生......

宽带固定无线接入技术作为宽带接入技术的一种新的发展趋势，近几年有了很大发展。随着毫米波集成电路技术取得的突破性进展，近年来在......

自从1951年提出异质结概念以来,以异质结理论为基础的半导体器件就得到的迅猛发展。和同质结相比,异质结构所具有的高电子浓度、高......

单片光电子集成电路（OEIC:Optoelectronic Integrated Circuits）将激光器、光探测器等光电子器件与驱动电路、前置放大器、限幅放大......

1951年异质结的概念被提出,自此开始异质结半导体晶体管就得到高速发展。对于传统的同质结器件而言,异质结构所制成的器件拥有载流......

毫米波振荡器是毫米波系统的“心脏”，是雷达、通信、电子对抗和测试等毫米波系统广泛应用的关键部件。随着毫米波技术的发展和实际......