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采用1mm×1．5min×0．4mm WL—CSP封装的单-P沟道MOSFET器件FDZ391P，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P......
随着能够降低系统成本并提高系统效率的中间总线架构（IBA）在电信功率系统中的日渐流行。MOSFET的额定击穿电压也正在不断扩展。以优......
飞兆半导体公司为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50％的RDS（ON）和出色的品质因数（figure of me......
NLAS5223是安森美公司最近推出的新器件,是一种先进的CMOS模拟开关.在一个小尺寸10引脚WQFN封装中,有两个独立的单刀双掷模拟开关......
电阻值的测量通常比较简单。但是，对于非常小阻值的测量，我们必须谨慎对待我们所做的假定。对于特定的几何形状，如电线，Kelvin方法是非......
通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时，具有正的温度......
基于不同技术或来自不同厂家的MOSFET，即使RDS（ON）和BVDSS值相接近，也可能在耐雪崩（Avalanche）／uIs能力方面存在很大差异。耐雪崩／UIS能力......
安森美半导体（ON Semiconductor）推出18款优化直流一直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计......
飞兆半导体公司推出全新的FDB2614（200V）和FDB2710（250V）N沟道MOSFET，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板（PDP）应用提供系统效率和优......
该MOSFET可应用于36～75V输入范围内工作的隔离式DC／DC转换器。其在10V下的导通电阻RDS（on）为51mΩ，电流额定值为25A；面积与0．7mm高的SO-8......
随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部......
HEXFET功率MOSFET适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。该系列基准MOSFET可在4．5V Vgs下实现非常低的RDS（on），显著改善......
主动“ORing”方案包括一个功率MOSFET和一个集成电路控制器。MOSFET的导通电阻RDS（on）会在其内部产生功率损耗（通过器件的电流的平方......
EPC2010是第二代eGaN场效应晶体管（FET）系列产品中的新成员，它具有更高的性能，不仅环保、不含铅，而且符合RoHS（有害物质限制）指令。EPC201......
TAS5727具有比前代产品小32％的RDS（on），可将总体外壳温度降低20％。此外，双频带动态范围压缩还支持两个不同频带的音频处理，可解决小型扬声......
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凌力尔特公司推出具EEPROM的电源管理器LTC2974，该器件以4个或更多电源轨实现完整的数字电源系统管理。LTC2974运用一个I2c接口和PM......
研诺逻辑科技推出AAT4616智能开关系列。AAT4616系列为专门针对高端负载开关应用而设计的完全可调、低导通阻抗（RDS（ON））、超高精度限......
Toshiba America Electronic Components推出新系列高电压π-MOSVII MOSFET。π—MOS VII MOSFET结合了先进的工艺技术与平面处理......
NXP推出N通道、1mΩ以下25V MOSFET产品，型号为PSMN1R2-25YL，它拥有低导通电阻RDS（ON）以及一流的FOM参数。新一代MOSFET器件集高性能Po......
LTC3626是一款高效率、3MHz同步降压型稳压器，该器件提供输入和输出电流限制及监视功能。LTC3626主要特性：3．6V-20V的输入电压范围；专......
飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）推出MicroFET功率开关产品FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z．适用于充电、异步DC／DC和负载开关等低功......
日前，Vishay Intertechnology，Inc．（威世科技）宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET——Si7157DP，扩充其TrenchFET P沟道GenII......
安森美半导体日前推出8款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻(RDS（on）)，整体电源电路效率比其他......
飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS（ON）低于1mQ的30V MOSFET器件，采......
MOSFET的开关性能优于双极型晶体管，因此在功率电子开关的应用场合几乎都由功率MOSFET来担任。例如，开关电源、逆变器、变频器、负载......
安森美半导体（ON）公司新近推出一款型号为NUS6189的新器件，它将过压保护（OVP）电路的性能和功能、3个OVP沟道功率MOSFET、低饱和电压（VCE（s......
日前，德州仪器（TI）宣布推出3款面向有刷DC及步进电机的最新低电压器件，进一步壮大其不断丰富的高集成DRV8x电机驱动器产品阵营。......
飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）推出采用1mm×1．5mm×0．4mm WL—CSP封装的单-P沟道MOSFET器件FDZ391P，能满足便携应......
飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS（ON）的20V 2mm×2mm×055mm薄型MicroFET ......
飞兆半导体公司（FARICHILD）为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ,能够......
引言一直以来，电子电路断路器（ECB）都是由一个MOSFET、一个MOSFET控制器和一个电流检测电阻器所组成的。LTC4213是一款新型电子电路断......
负载开关基本电路功率MOSFET是一种具有良好开关特性的器件：导通时其导通电阻RDS（ON）很小；在关断时其漏电流IDSS很小。另外，它的耐压范......
MOSFET是电气系统中的基本部件,想要选出最合适的MOSFET需要深入了解它们的关键特性及指标.讨论如何根据漏源导通电阻RDS(ON)、热......
