采用ＭＯＣＶＤ技术在Ｓｉ（１１１）衬底上生长ＧａＮ薄膜，经此材料制备成光导型Ｓｉ基ＧａＮ紫外探测器。探测器的光谱响应表明，在紫外波段２５０￣３６０ｎｍ有近于平坦的光电流响应，３６３ｎｍ附近有陡峭......