21世纪以来,为了满足更快和更大容量的信息传输,光通信技术得到迅猛发展。因而,研制能够完全覆盖850、1310和1550nm三个通信窗口的......

本文在研究分析SiGe材料实空间电荷转移器件(RST)的结构及原理的基础上,基于SiGe材料物理与电学特性建立了该器件的电流-电压特性......

在国产设备上,研究了用气体源MBE(GSMBE)生长异质结Si/SiGe/Si HBT材料及其掺杂控制工艺,生长出高品质HBT用Si/SiGe/Si材料,器件的......

本文对表征SiGe/Si异质结材料特性的测量技术X-ray双晶衍射、反射高能电子衍射、Hall测量、二次离子质谱测量等进行了较为全面的介......

采用紫外光能量辅助超高真空化学气相淀积(UV/UHVCVD)技术,在450℃低温下外延生长了SiGe/Si材料,对SiGe材料进行了x射线衍射分析,......

SiGe材料就是在Si中引入适量的Ge形成SiGe合金。用SiGe合金作晶体管的基区，由于Ge的引入，使基区能带变窄，从而大大提高了发射区电子的......

随着超大规模集成电路集成度的不断增加，晶体管的单元尺寸持续的缩小。晶体管工艺流程发展到了纳米节点以下，线宽效应、短沟道效应等......

通过在Si BJT基区引入Ge，形成了基区禁带宽度较窄的SiGe异质结双极晶体管。与传统的Si双极型晶体管相比，它具有更高的频率特性，因而在......

采用干 /湿法腐蚀相结合技术 ,利用氢氧化钾 (KOH)溶液和六氟化硫 (SF6)对Si及SiGe材料进行腐蚀 ,研究自对准Si/SiGeHBT台面器件 ,......

硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGe HBT的设计具有重要的意义......

采用紫外光能量辅助化学气相淀积(UVCVD)方法,同时结合超高真空化学气相淀积(UHVCVD)及超低压化学气相淀积(ULPCVD)技术,在450℃低......

采用干／湿法腐蚀相结合技术，利用氢氧化钾(KOH)溶液和六氟化硫(SF6)对Si及SiGe材料进行腐蚀，研究自对准Si／SiGe HBT台面器件，获得了fT=4......

对自行研制的超高真空化学气相外延设备（RHT／UHV／CVDSGE500）的气路系统进行了改进，使之能够生长出较好的Ge分布图形。利用X射线双晶衍射......