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通过应用一种新的模型来进行电学测试和参数提取,可以获取SIMOX(离子束注入隔离氧化层)SOI圆片的上界面和下界面的界面态参数以及......
本文研究了理想Si/SiO2/Si结构的电容-电压(C-V)特性,提出了根据Si/SiO2/Si的C-V特征测量SiO2厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法,并对键合样品进行了实验。......
通过应用一种新的模型来进行电学测试和参数提取,可以获取SIMOX(离子束注入隔离氧化层)SOI圆片的上界面和下界面的界面态参数以及埋氧......