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基于SM-JTE结构的4H-SiC器件
介绍了高压空间调制结终端扩展(SM-JTE)结构及其优势。结合实际的MOSFET工艺和已有的理论模型,定义了全新的4H-Si C器件TCAD仿真模......
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SM-JTE
4H-SiC
Junction termination extension
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