研究了反应射频磁控溅射制备的非晶氧化铝薄膜中电荷输运过程,发现交流和直流电导导电机制是明显不同的.对直流输运,以Poole-Frenk......

利用室温下反应磁控溅射结合炉退火的方法在P-Si(100)衬底上制备了Al2O3栅介质层，研究了不同的溅射气氛和退火条件对Al2O3栅介质层......

本文从理论上评述了扫描电镜中作为电子源的五种发射制式，对冷场发射，热场发射，Ｓｃｈｏｔｔｋｙ发射和扩展的Ｓｃｈｏｔｔｋｙ发射四种制式，就虚源，能量分散，亮度，噪声等一......

Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST ) 有或没有 HfO2 缓冲区层的薄电影被搏动的激光免职在 Pt/Ti/SiO2/Si 底层上制作。绝缘的性质和 BST 薄电影......

利用室温下反应磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上制备了HfO2栅介质层，研究了HfO2高k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流(SILC)......

采用射频磁控溅射方法制备了镶嵌纳米碳粒的SiO2薄膜，利用Au／（C／SiO2）／p-Si结构的I-V特性曲线，对其电流输运机理进行了分析．结果表明，正向偏......