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Si-cap厚度对Si/SiGe/SOI量子阱p-FET电学性能的影响
本工作模拟仿真了Si/SiGe/SOI量子阱p-MOSFETs的电学性能,重点分析了Si-cap层厚度对Ge的层间互扩散的影响。依据本文的仿真模型,Si......
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