采用量子化学UMP2方法，在6-311G基组水平上对自由基SiH3与HNCO的反应机理进行了研究，全参数优化了反应过程中的反应物、中间体、过渡......

采用密度泛函B3LYP/6-311G＋＋（d,p）和高级电子相关耦合簇CCSD（T）/6-311G＋＋（d,p）方法研究了SiH3与NO在单重态势能面上的反应机理,全参数优化了......

随着现代微电子工业的快速发展，电子器件的尺寸变的越来越小。当硅片中氧化层（SiO2）厚度为几个原子层（约0.7nm）时，其绝缘性能将失效。因......